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等離子清洗機(jī)在晶圓清洗中的4個(gè)應(yīng)用-深圳金徠
來(lái)源:
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作者:深圳金徠
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發(fā)布時(shí)間: 2021-05-27
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晶圓制造工藝復(fù)雜，擁有很多工序，不同工序中使用了不同的化學(xué)材料，通常會(huì)在晶圓表面殘留化學(xué)劑、顆粒、金屬等雜質(zhì)，如果不及時(shí)清洗干凈，會(huì)隨著生產(chǎn)制造逐漸累積，影響最終的質(zhì)量。在晶圓制造工藝中，一般存在五個(gè)清洗步驟，分別是顆粒去除清洗、刻蝕后清洗、預(yù)擴(kuò)散清洗、金屬離子去除清洗和薄膜去除清洗。因此，作為清洗工藝的基礎(chǔ)，清洗設(shè)備成為了制程發(fā)展的關(guān)鍵。
而且等離子體清洗作為一種先進(jìn)的干式清洗技術(shù)，具有綠色環(huán)保等特點(diǎn)，隨著微電子行業(yè)的迅速發(fā)展，等離子清洗機(jī)也在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用越來(lái)越多。
等離子清洗機(jī)也在半導(dǎo)體行業(yè)的4個(gè)應(yīng)用
1、顆粒
顆粒主要是一些聚合物、光刻膠和蝕刻雜質(zhì)等。這類(lèi)污染物通常主要依靠范德瓦爾斯吸引力吸附在圓片表面,影響器件光刻工序的幾何圖形的形成及電學(xué)參數(shù)。這類(lèi)污染物的去除方法主要以物理或化學(xué)的方法對(duì)顆粒進(jìn)行底切,逐漸減小其與圓片表面的接觸面積,最終將其去除。
2、有機(jī)物
有機(jī)物雜質(zhì)的來(lái)源比較廣泛,如人的皮膚油脂、細(xì)菌、機(jī)械油、真空脂、光刻膠、清洗溶劑等。這類(lèi)污染物通常在圓片表面形成有機(jī)物薄膜阻止清洗液到達(dá)圓片表面,導(dǎo)致圓片表面清洗不徹底,使得金屬雜質(zhì)等污染物在清洗之后仍完整的保留在圓片表面。這類(lèi)污染物的去除常常在清洗工序的第一步進(jìn)行。
3、金屬
半導(dǎo)體工藝中常見(jiàn)的金屬雜質(zhì)有鐵、銅、鋁、鉻、鎢、鈦、鈉、鉀、鋰等,這些雜質(zhì)的來(lái)源主要有:各種器皿、管道、化學(xué)試劑,以及半導(dǎo)體圓片加工過(guò)程中,在形成金屬互連的同時(shí),也產(chǎn)生了各種金屬污染。
4、氧化物
半導(dǎo)體圓片暴露在含氧氣及水的環(huán)境下表面會(huì)形成自然氧化層。這層氧化薄膜不但會(huì)妨礙半導(dǎo)體制造的許多工步,還包含了某些金屬雜質(zhì),在一定條件下,它們會(huì)轉(zhuǎn)移到圓片中形成電學(xué)缺陷。
隨著集成電路先進(jìn)制程工藝的進(jìn)步，清洗設(shè)備的數(shù)量和使用頻率逐漸上升，清洗步驟的效率嚴(yán)重影響了晶圓生產(chǎn)良率，在整個(gè)生產(chǎn)過(guò)程中占比約33%，等離子清洗設(shè)備成為了晶圓處理設(shè)備中重要的一環(huán)。
上述所講解的就是等離子清洗機(jī)在晶圓清洗中的4個(gè)應(yīng)用，希望看完能夠?qū)δ兴鶐椭?，如果您想要了解更多關(guān)于等離子清洗機(jī)的相關(guān)信息，歡迎繼續(xù)瀏覽深圳金徠網(wǎng)站！
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1、顆粒
顆粒主要是一些聚合物、光刻膠和蝕刻雜質(zhì)等。這類(lèi)污染物通常主要依靠范德瓦爾斯吸引力吸附在圓片表面,影響器件光刻工序的幾何圖形的形成及電學(xué)參數(shù)。這類(lèi)污染物的去除方法主要以物理或化學(xué)的方法對(duì)顆粒進(jìn)行底切,逐漸減小其與圓片表面的接觸面積,最終將其去除。
2、有機(jī)物
有機(jī)物雜質(zhì)的來(lái)源比較廣泛,如人的皮膚油脂、細(xì)菌、機(jī)械油、真空脂、光刻膠、清洗溶劑等。這類(lèi)污染物通常在圓片表面形成有機(jī)物薄膜阻止清洗液到達(dá)圓片表面,導(dǎo)致圓片表面清洗不徹底,使得金屬雜質(zhì)等污染物在清洗之后仍完整的保留在圓片表面。這類(lèi)污染物的去除常常在清洗工序的第一步進(jìn)行。
3、金屬
半導(dǎo)體工藝中常見(jiàn)的金屬雜質(zhì)有鐵、銅、鋁、鉻、鎢、鈦、鈉、鉀、鋰等,這些雜質(zhì)的來(lái)源主要有:各種器皿、管道、化學(xué)試劑,以及半導(dǎo)體圓片加工過(guò)程中,在形成金屬互連的同時(shí),也產(chǎn)生了各種金屬污染。
4、氧化物
半導(dǎo)體圓片暴露在含氧氣及水的環(huán)境下表面會(huì)形成自然氧化層。這層氧化薄膜不但會(huì)妨礙半導(dǎo)體制造的許多工步,還包含了某些金屬雜質(zhì),在一定條件下,它們會(huì)轉(zhuǎn)移到圓片中形成電學(xué)缺陷。
隨著集成電路先進(jìn)制程工藝的進(jìn)步，清洗設(shè)備的數(shù)量和使用頻率逐漸上升，清洗步驟的效率嚴(yán)重影響了晶圓生產(chǎn)良率，在整個(gè)生產(chǎn)過(guò)程中占比約33%，等離子清洗設(shè)備成為了晶圓處理設(shè)備中重要的一環(huán)。
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